制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:38 A, 107 A

Rds On-漏源导通电阻:8.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:9.3 nC, 49 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W, 69 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:27 S, 47 S

下降时间:14 ns, 49 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:65 ns, 79 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.2 ns, 34 ns

典型接通延迟时间:4.8 ns, 11 ns